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AlxGa1-xNGaN异质结构中二维电子气输运性质由扩散区域向弹道区域

归档日期:07-01       文本归类:弹道区      文章编辑:爱尚语录

  AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质由扩散区域向弹道区域的转变

  正通过低温下的磁输运测量研究了 AlxGa1-xN/GaN 异质结构中二维电子气(2DEG)的电子-电子相互作用。我们测量了不同温度下异质结构纵向电阻率随磁场的变化曲线,观察到了明显的负磁阻(NMR)

  韩奎;沈波;唐宁;秦志新;杨志坚;张国义;林铁;朱博;周文政;褚君浩;;AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质由扩散区域向弹道区域的转变[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

  胡英;周晓华;徐毓龙;;2DEG密度与Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT结构设计的关系[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年

  李伟;Ⅲ-N材料的RF Plasma MBE生长及物理研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2001年

  盛钢;二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响[D];四川大学;2004年

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