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AlxGa1-xN /GaN异质结构中二维电子气输运性质由扩散区域向弹道

归档日期:06-29       文本归类:弹道区      文章编辑:爱尚语录

  中 国·兰 州 第十 六届全国 半导体 物 理 学术 会议B一14应 变 闪 锌矿 (0 0 1) 取 向Ga/ N I AGaN量子 阱 中受屏 蔽 激 子的 压 力 效 应哈 斯 花 班 士 良内 蒙 古 大 学 理 工 学院 物 理 系 内 蒙 古 呼和 浩特 0 10 01 2近 年 来,氮 化物 半 导 体 材 料 因 其 广 泛的 应 用 前 景 引 起 了 普 遍 的关 注。由 于 Ga N和 I A N 等 材 料结构 的 各 向 异 性,其 生长 取 向 的不 同 将导致物 理 参 数 及 性 质的 不 同。对于 量 子 阱结 构,界 面 处 晶 格常数 不匹配 将 使 量 子 阱各 层 产 生 应 变,并 且 应 变要受到外加 压 力 的 调 制...

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